इन आईसीपी सीवीडी सिलिकॉन नाइट्राइड और सिलिकॉन ऑक्साइड बयानों फिल्म तनाव विभिन्न मापदंडों को बदलने के द्वारा नियंत्रित किया जा सकता है.
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चाबियों का एक 200 डिग्री सेल्सियस से अधिक तापमान पर सिलिकॉन ऑक्साइड और नाइट्राइड फिल्मों कम इन्सुलेट जमा करने की क्षमता है इन संरचनाओं में असाधारण पतली
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वैज्ञानिकों सिलिकॉन ऑक्साइड नैनो आकार की एक परत है, हजारों बार दो इलेक्ट्रोड और मौजूदा बिजली की बढ़ती मात्रा के लिए डिवाइस उजागर के बीच, एक मानव बाल की चौड़ाई से छोटी
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आईसीपी सीवीडी के अपवर्तक सूचकांक फिल्म्स जमा एन के लिए सिलिकॉन नाइट्राइड बयान या सी: हे सिलिकॉन ऑक्साइड बयान के लिए अपवर्तक सूचकांक सी के अनुपात अलग से नियंत्रित किया जा सकता है.
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और जेम्स यात्रा समझाने की है कि निर्माताओं लंबे समय से दोनों इलेक्ट्रॉनिक्स में एक सहायक और इन्सुलेट सामग्री के रूप में सिलिकॉन ऑक्साइड, आम तौर पर बिजली की एक बहुत ही गरीब कंडक्टर का इस्तेमाल.
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वे दिखा दिया कि बिजली छोटे घटकों, सिलिकॉन के एक तरीका है कि अपनी विद्युत चालकता बढ़ा देता है और यह कंप्यूटर चिप्स का काम प्रक्रियाओं में एक खिलाड़ी बनाता है में नैनो आकार, क्रिस्टल में सिलिकॉन ऑक्साइड टूटने के लिए पैदा कर सकता है.
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डीरैम की इस तेज़ी का कारण है वो पदार्थ जो कि इस मेमोरी का मुख्य भाग (core element) होता है और वे पदार्थ होते हैं कुचालक (core element) पदार्थ यानी डाइ-इलेक्ट्रिक (Dielectric) पदार्थ जैसे कि सिलिकॉन ऑक्साइड (SiO 2) टैंटेलम ऑक्साइड (Ta 2 O 5) इत्यादि जिनका डाइ-इलेक्ट्रिक स्थिरांक इस बात का सूचक होता है कि वे कितनी ज़्यादा जानकारी रक्षित कर सकते हैं।
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